Сканирующий электронный микроскоп JIB 4500

   Сканирующий электронный микроскоп JIB 4500 с несколькими пучками для обработки образцов (препарирования) и наблюдения оснащён как растровым электронным микроскопом (далее РЭМ), в котором используется электронная пушка с эмиттером из LaB6, обеспечивающая высокое разрешение и длительный срок её эксплуатации, так и устройством со сфокусированным ионным пучком (далее СИП) с высоким разрешением и большой скоростью обработки. Эффективность прибора как универсального устройства для препарирования, наблюдения и анализа повышается дополнительной установкой анализатора EDS (энергодисперсионный рентгеновский спектрометр) и EBSD (система для анализа дифракции отраженных электронов – в настоящее время отсутствует).

Характерные особенности устройства:
  • Высокая скорость обработки (ионного травления). Использование ионных пучков с высокой плотностью тока позволяет устройству СИП выполнять высокоскоростную и высококачественную обработку поверхности образца (максимальная сила тока 30 нА соответствует максимальная плотность тока: ≥30 А/см2).
  • Низкая степень повреждения при обработке. Благодаря успешному внедрению в прибор низких ускоряющих напряжений (1, 3 и 5 кВ) СИП отличается повышенной эффективностью в устранении поврежденных слоев.
    Возможность работы при низком увеличении. Работа в таком режиме позволяет сократить время, необходимое для выбора поля зрения. Наименьшая возможная кратность увеличения для РЭМ ×5 (при рабочем расстоянии WD=48 мм), а для СИП ×100 и ×30 (только для наблюдения).
  • Возможность наблюдения при низком вакууме. Низковакуумный режим позволяет проводить наблюдение непроводящих образцов без напыления проводящего покрытия.
  • Возможность наблюдения образцов различных размеров. Перемещение по осям X и Y позволяет наблюдать всю поверхность образца размером диаметром до 75 мм. Кроме того, перемещение столика по шести осям с эвцентрической настройкой по высоте (оси Z) до 30 мм позволяет проводить наблюдение образцов различных размеров.
  • Работа с трехмерными изображениями (функция S3™). Устройство оснащено функцией S3™, позволяющей автоматически получать графические данные с целью воссоздания трехмерных изображений, применяемых для наблюдения и анализа. 
     

Технические характеристики:
Электронная оптическая система (ЭОС)
Разрешениене менее 2,5 нм (ускоряющее напряжение 30 кВ, высоковакуумный режим)не менее 4,0 нм (ускоряющее напряжение 30 кВ, низковакуумный режим: 1 Па)
Зондовый токот 1 пА до 1 мкА (приблизительные границы)
Ускоряющее напряжениеот 0,3 до 30 кВ (55 градаций)
Увеличениеот x5 до x300000 (149 градаций)
Ионная оптическая система (ИОС)
Срок эксплуатации галиевого эмиттера1000 ч (гарантия)
Разрешениене менее 5,0 нм (ускоряющее напряжение: 30 кВ, WD=24 мм)
Зондовый токот 0,5 пА до 30 нА (приблизительные границы; ускоряющее напряжение: 30 кВ)
Ускоряющее напряжениеот 1 до 30 кВ
Увеличениеот ×30 до ×300000 (режим поиска)от ×100 до ×300000 (обработка, наблюдение)
 
Время генерации: 0.0928 сек., 0.0270 из этого заняли запросы.